半導(dǎo)體激光器又稱為激光二極管，是采用半導(dǎo)體材料作為工作介質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射的一類激光器。常用材料有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦（InP）、硫化鋅（ZnS）。激勵(lì)方式有電注入、電子束激勵(lì)和光泵浦激勵(lì)三種形式。
根據(jù)激光介質(zhì)和工作原理的不同，半導(dǎo)體激光器可以分為以下幾類：
1.激光二極管
激光二極管的工作原理是，在PN結(jié)中注入電流，電子與空穴在結(jié)區(qū)域內(nèi)復(fù)合，釋放出激光光子。由于PN結(jié)的結(jié)區(qū)域非常小，因此可以產(chǎn)生非常密集的激光束。激光二極管的波長(zhǎng)通常在800nm至980nm之間，適合于光纖通信等應(yīng)用。
2.垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)
垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)是一種在半導(dǎo)體芯片上制造的激光器。它的激光輸出垂直于芯片表面，可以實(shí)現(xiàn)高效耦合到光纖或其他光學(xué)元件中，因此在光通信、光存儲(chǔ)、光打印等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。
3.邊界發(fā)射激光器(EEL)
邊界發(fā)射激光器(EEL)是一種在PN結(jié)的邊界上發(fā)射激光的半導(dǎo)體激光器。它的結(jié)構(gòu)類似于激光二極管，但是在PN結(jié)的一側(cè)增加了一層反射鏡，使激光在PN結(jié)邊界上振蕩，EEL的優(yōu)點(diǎn)是輸出功率高，波長(zhǎng)可調(diào)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等。
4.量子阱激光器
量子阱激光器是一種利用量子阱結(jié)構(gòu)的電子束純效應(yīng)產(chǎn)生激光的半導(dǎo)體激光器。量子阱激光器且有波長(zhǎng)可調(diào)，輸出功率高，照聲低等優(yōu)點(diǎn)，適用于光纖通信，醫(yī)療和光譜分析等領(lǐng)域。
5.垂直外延激光器
垂直外延激光器(VLEC)是一種采用外延生長(zhǎng)技術(shù)制造的半導(dǎo)體激光器。VIEC的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，制造工藝難度較大，但是具有波長(zhǎng)范圍寬，輸出功率高等優(yōu)點(diǎn)，適用于高速光通信，光存儲(chǔ)和光打印等領(lǐng)域。
VSCEL VS EEL
根據(jù)激光投影的方向，半導(dǎo)體激光器可以分為兩類型：邊發(fā)射激光器（EEL）和垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）。
EEL有兩種主要類型：FP激光器和DFB激光器。在FP激光器中，激光二極管是激光器，其反射鏡只是激光芯片末端的平面裂開(kāi)表面。FP激光器主要用于低數(shù)據(jù)速率短距離傳輸；傳輸距離一般在20km以內(nèi)，速率一般在1.25G以內(nèi)。DFB激光二極管是在腔內(nèi)具有光柵結(jié)構(gòu)的激光器，其在整個(gè)腔中產(chǎn)生多次反射。它們主要用于高數(shù)據(jù)速率的長(zhǎng)距離傳輸。
VCSEL與EEL相比，VCSEL激光垂直于頂面射出，與激光由邊緣射出的邊發(fā)射型激光器（EEL）有所不同。因此相較于邊射型激光器，VCSEL激光器具有低閾值電流、穩(wěn)定單波長(zhǎng)工作、可高頻調(diào)制、容易二維集成、沒(méi)有腔面閾值損傷等優(yōu)點(diǎn)，提供更好的激光束質(zhì)量，更高的耦合效率和空腔反射率。此外，VCSEL能夠以二維陣列進(jìn)行，使單個(gè)芯片可以包含數(shù)百個(gè)單獨(dú)的光源，以增加最大輸出功率和提升長(zhǎng)遠(yuǎn)的可靠性，EEL只能在簡(jiǎn)單的一維陣列中進(jìn)行。
半導(dǎo)體激光器又稱為激光二極管，是采用半導(dǎo)體材料作為工作介質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射的一類激光器。常用材料有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦（InP）、硫化鋅（ZnS）。激勵(lì)方式有電注入、電子束激勵(lì)和光泵浦激勵(lì)三種形式。
根據(jù)激光介質(zhì)和工作原理的不同，半導(dǎo)體激光器可以分為以下幾類：
1.激光二極管
激光二極管的工作原理是，在PN結(jié)中注入電流，電子與空穴在結(jié)區(qū)域內(nèi)復(fù)合，釋放出激光光子。由于PN結(jié)的結(jié)區(qū)域非常小，因此可以產(chǎn)生非常密集的激光束。激光二極管的波長(zhǎng)通常在800nm至980nm之間，適合于光纖通信等應(yīng)用。
2.垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)
垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)是一種在半導(dǎo)體芯片上制造的激光器。它的激光輸出垂直于芯片表面，可以實(shí)現(xiàn)高效耦合到光纖或其他光學(xué)元件中，因此在光通信、光存儲(chǔ)、光打印等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。
3.邊界發(fā)射激光器(EEL)
邊界發(fā)射激光器(EEL)是一種在PN結(jié)的邊界上發(fā)射激光的半導(dǎo)體激光器。它的結(jié)構(gòu)類似于激光二極管，但是在PN結(jié)的一側(cè)增加了一層反射鏡，使激光在PN結(jié)邊界上振蕩，EEL的優(yōu)點(diǎn)是輸出功率高，波長(zhǎng)可調(diào)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等。
4.量子阱激光器
量子阱激光器是一種利用量子阱結(jié)構(gòu)的電子束純效應(yīng)產(chǎn)生激光的半導(dǎo)體激光器。量子阱激光器且有波長(zhǎng)可調(diào)，輸出功率高，照聲低等優(yōu)點(diǎn)，適用于光纖通信，醫(yī)療和光譜分析等領(lǐng)域。
5.垂直外延激光器
垂直外延激光器(VLEC)是一種采用外延生長(zhǎng)技術(shù)制造的半導(dǎo)體激光器。VIEC的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，制造工藝難度較大，但是具有波長(zhǎng)范圍寬，輸出功率高等優(yōu)點(diǎn)，適用于高速光通信，光存儲(chǔ)和光打印等領(lǐng)域。
VSCEL VS EEL
根據(jù)激光投影的方向，半導(dǎo)體激光器可以分為兩類型：邊發(fā)射激光器（EEL）和垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）。
EEL有兩種主要類型：FP激光器和DFB激光器。在FP激光器中，激光二極管是激光器，其反射鏡只是激光芯片末端的平面裂開(kāi)表面。FP激光器主要用于低數(shù)據(jù)速率短距離傳輸；傳輸距離一般在20km以內(nèi)，速率一般在1.25G以內(nèi)。DFB激光二極管是在腔內(nèi)具有光柵結(jié)構(gòu)的激光器，其在整個(gè)腔中產(chǎn)生多次反射。它們主要用于高數(shù)據(jù)速率的長(zhǎng)距離傳輸。
VCSEL與EEL相比，VCSEL激光垂直于頂面射出，與激光由邊緣射出的邊發(fā)射型激光器（EEL）有所不同。因此相較于邊射型激光器，VCSEL激光器具有低閾值電流、穩(wěn)定單波長(zhǎng)工作、可高頻調(diào)制、容易二維集成、沒(méi)有腔面閾值損傷等優(yōu)點(diǎn)，提供更好的激光束質(zhì)量，更高的耦合效率和空腔反射率。此外，VCSEL能夠以二維陣列進(jìn)行，使單個(gè)芯片可以包含數(shù)百個(gè)單獨(dú)的光源，以增加最大輸出功率和提升長(zhǎng)遠(yuǎn)的可靠性，EEL只能在簡(jiǎn)單的一維陣列中進(jìn)行。
其中精密光學(xué)元件包括窗口片、反射鏡、棱鏡、偏振器、柱面鏡、球面透鏡、非球面透鏡、波片、分光鏡、衍射光柵及其他特色光學(xué)元件等，正是激光雷達(dá)整機(jī)中需要的光學(xué)元件。
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