ZnSe晶體屬面心立方結構，其光率體橢球為一個球體，在光學上表現(xiàn)為各向同性。它具有優(yōu)異的物理與化學性質(zhì)，可用于制造藍光半導體激光器、光探測器件、非線性光學器件、波導調(diào)制器等；同時，作為優(yōu)秀的紅外材料，透過波長為O．5～22“m，特別在10．6肛m處有極好的透過率，是紅外透鏡、激光窗口、紅外熱像儀和高功率CO。激光器應用的首選材料。這些應用帶動了znSe晶體加工技術的發(fā)展并對其加工提出愈來愈高的要求，作為紅外材料使用，在加工中要保證其表面光潔度和良好的透過率。
znse透鏡的基本參數(shù)和技術要求圖1為ZnSe晶體的透過率曲線。由1圖可知，znSe晶體具有極好的光學特性，能透過可見和紅外光，尤其在紅外光譜區(qū)具有高而均勻的光學透過率。表1給出了ZnSe晶體的折射率砣隨波長A的變化，ZnSe晶體的折射率溫度系數(shù)低，適用于制作多光譜應用中的光學元件。
圖1?ZnSe晶體的透過曲線
? ? ? ? 表l ZnSe晶體折射率隨波長的變化
?晶體研磨對透鏡偏心及光潔度的影響
磨盤材料選用鑄鐵，采用數(shù)控車床加工，很好地控制了其面形精度。在進行粗細磨工序前，應先將R一140?mm面半徑加工好，加工時中心磨到即可。盡量少去厚度或不去厚度，而且要注意偏心，偏心量大致不應超過0．20～o．30?mm。
拋光對零件表面光潔度的影響
ZnSe晶體的拋光是機械、物理和化學作用的共同結果。在拋光過程中，拋光劑具有2種作用，即機械作用與膠體化學作用，這2種作用是同時出現(xiàn)的。在拋光的初始階段，是拋光劑去除表面凹凸層的過程，因而呈現(xiàn)出新的拋光面，這時主要是靠機械作用。但呈現(xiàn)出新的拋光面以后，拋光劑顆粒開始與材料表面進行分子接觸，由于拋光劑具有一定的化學活性，即具有強烈的晶格缺陷(實踐證明，具有晶格缺陷的拋光劑的拋光效率是比較高的)，晶格缺陷處的各質(zhì)點的結合能量比較大，易于通過化學吸附作用把材料表面分子吸附出來，在拋光劑與材料表面分子接觸中材料即被拋光。
加工過程中需要注意的問題
嚴格說來，晶體加工是一種有害作業(yè)，因此，應該重視加工者的健康防護問題。防護上大體可以采
取以下措施：
(1)有毒晶體的加工應集中在有良好通風排毒設備的專門房間里，機床工作臺應有防護罩和排風扇。
(2)為了減少或消除毒物對人體的傷害，工作之后必須認真洗手，用刷子將雙手仔細擦洗干凈。
(3)嚴禁在有毒的工作間內(nèi)吸煙、進食，要定時呼吸新鮮空氣。
加工中采用雙氧水溶劑浸泡Al。O。拋光劑，軟化了AlzO。磨料，大大提高了拋光零件的表面質(zhì)量，取得了較為理想的效果。同時，為整盤等厚加工設計制作的工具既簡單可靠，又保證了零件的精度。
