紅外硅透鏡
隨著紅外空空導彈的發(fā)展，紅外光學材料單晶硅得到了廣泛的應(yīng)用。
介紹了單晶硅材料加工透鏡的工藝過程，著重研究了硅透鏡的拋光技術(shù)，通過受用不同的拋光粉以及拋光模層材料，找到了加工硅透鏡的最佳工藝匹配條件。
實驗結(jié)果表明：使用sio2膠體配制的拋光液（PH10-11）及用拋光布之稱的拋光模，采用機械化學方法拋光出的零件表面疵病達到III級（GB1185-74），
并能夠通過修改拋光?？刂乒馊σ约肮馊Φ恼`差，加工出的硅透鏡滿足導彈光學系統(tǒng)的要求。
隨著先進紅外空空導彈的發(fā)展，各種晶體材料得到了廣泛的應(yīng)用，
目前應(yīng)用最多的紅外光學材料當數(shù)硅（Si）和鍺（Ge），它們具有金屬光澤、質(zhì)硬易脆，折射率高、色散小，在可見光波段不透光，但在紅外波段（3~5微米）具有良好的透過率，廣泛用于紅外導彈光學系統(tǒng)。
硅單晶的物理性能
純凈的單晶硅呈淺灰色，是一種略具有金屬性質(zhì)的材料。其熔點為1417℃，相當硬且脆。它在許多方面表現(xiàn)為金屬，但在有些方面則介于金屬（導體）與非金屬(絕緣體)之間。
硅透鏡加工的難點
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⑴精磨工序
精磨是拋光前的一項重要工序，其目的是使零件達到拋光所需的尺寸精度和表面質(zhì)量。直接影響精磨工序質(zhì)量的因素有加工設(shè)備、模具以及精磨磨料。
①光圈的控制
模具與零件膠盤的相對尺寸要恰當，模具的矢高偏差要在一兩微米之內(nèi)。機床速度與壓力要匹配，保證精磨出的零件光圈是低7~8道。304#砂面均勻一致，特別是靠近邊緣處容易塌邊。
②精磨表面的質(zhì)量控制
精磨過程容易產(chǎn)生麻點和劃痕。麻點產(chǎn)生的主要原因是精磨時間不夠或磨削量不足；劃痕產(chǎn)生的主要原因是模具表面鈍化、硬度或粒度不合適、冷卻液不干凈等。
⑵拋光工序
拋光的目的一是消除精磨后凹凸不平的毛面以及殘余破壞層，保證達到規(guī)定的表面疵病等級；二是精修面形，以實現(xiàn)所要求的光圈和光圈誤差。拋光過程是將拋光劑和拋光模與零件表面之間，借助二者的相對運動，使零件逐漸拋光成具有一定面形精度和表面質(zhì)量的光學表面。
晶體拋光時，要求工房溫度在24℃以上，相對濕度小于60%，工房內(nèi)嚴格防塵，以免劃傷零件表面。
①????? 拋光模及拋光液
光學加工中各工序必須嚴格分開，以避免磨料相互污染，尤其在初拋光和精拋光之間更應(yīng)注意避免空氣中傳播的懸浮微粒污染。在初拋光后將膠盤好人零件上散落的磨料清除干凈，避免拋光過程中零件表面受損，可在流水下清刷膠盤去除散落的磨料。
②????? 拋光劑和拋光模的作用
在拋光過程中，拋光劑對零件表面起著磨削作用，借助拋光劑與零件表面的摩擦，將零件表面的砂眼磨掉，逐漸形成光滑平整的光學表面。選用的拋光粉顆粒要均勻，拋光效率要高；拋光模質(zhì)量的優(yōu)劣，對零件表面質(zhì)量有直接影響。因此要求拋光模硬度合適，表面平整，拋光過程不損傷零件表面；從微觀上講，硅透鏡的拋光實際上是一種更精細的研磨。在拋光過程中有兩種作用存在于零件表面，這就是機械和化學作用，當這兩種作用保持平衡時，拋光出的零件表面質(zhì)量最好。
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產(chǎn)品介紹：
硅具有低成本、低密度優(yōu)勢而成為介于1.2到7μm區(qū)域的應(yīng)用所廣泛使用的NIR材料。硅的
密度很低（鍺或硒化鋅的一半），所以非常適合用于重量敏感的應(yīng)用，特別是那些介于3 -
5μm范圍之間的應(yīng)用。其密度為2.33g/cm3，努氏硬度則為1150。
應(yīng)用：
硅透鏡主要應(yīng)用于，紅外測溫儀，紅外熱成像儀等測量設(shè)備。
我們的優(yōu)勢：
激埃特生產(chǎn)的硅透鏡，采用光學級單晶硅為基材加工，雙面鍍有增透膜，增透膜層能極大
的減小基材表面的高反射率，在整個增透膜波長范圍，能提供超過90%的平均透光率。激
埃特硅透鏡產(chǎn)品在表面有鍍類金剛膜，能加強表面硬度，加強鏡片惡劣環(huán)境下的壽命以及
提高鏡片抗損傷閾值。硅具有低成本、低密度優(yōu)勢而成為介于1.2到7μm區(qū)域的應(yīng)用所廣泛
使用的NIR材料。硅的密度很低（鍺或硒化鋅的一半），所以非常適合用于重量敏感的應(yīng)用，
特別是那些介于3 -5μm范圍之間的應(yīng)用。其密度為2.33g/cm3，努氏硬度則為1150。
